5月20日下午，应信息科学与工程学院和山东省网络环境智能计算技术重点实验室邀请，山东大学杨再兴教授来济南大学开展学术交流活动，并作了题为“锑化物低维结构与光电器件”的学术报告。济南大学部分师生参加了本次学术报告，重点实验室李阳博士主持了本次报告会。

低维半导体光电材料是新型信息材料研究的核心。利用全新的锑化物纳米线，一方面可以研发新一代高性能室温红外探测器，另一方面可以结构和演绎出全新的集成电路（后摩尔时代Beyond Moore的主要发展方向之一）。基于此，杨教授选择GaSb纳米线作为研究特例，立足“精确控制锑元素趋肤效应”、“调控载流子输运性质”、“优化红外探测性能”开展研究工作。杨教授详细地介绍了其课题组相关成果，并对该领域的未来发展作了展望，使师生们获益良多。报告会后，杨教授与参会师生进行了充分交流，并耐心解答了老师学生们的提问。

杨再兴，山东大学物理学院教授，博士生导师，山东大学杰出青年，山东大学青年交叉科学创新群体牵头人，山东省泰山学者（青年专家），国家重点研发计划负责人（青年）。长期致力于“锑化物低维结构与光电器件”的研究，力争引领新一代超快红外探测技术和高速集成电路的发展。已发表学术论文65篇，包括Nature Communications，ACS Nano，Nano Letters，ACS Applied Materials & Interfaces，Advanced Optical Materials，Nano Research，Journal of Physical Chemistry Letters。应邀撰写综述论文4篇。获得发明专利授权5项。在10th International Conference on Materials for Advanced Technologies（Singapore）、第二十二届全国半导体物理学术会议、中国物理学会秋季学术会议半导体分会（2018年、2019年）、全国电子信息青年科学家论坛暨第三届半导体青年学术会议（青年学者沙龙）、第二届锑化物半导体学术及产业促进大会等国内外学术会议作邀请报告20次并担任国际学术会议分会主席1次。